| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.016 Ω |
| 功耗 | 1.2 W |
| 阈值电压 | 400 mV |
| 输入电容 | 1240 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 上升时间 | 24 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1240pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 510 mW |
| 下降时间 | 36 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 510mW (Ta), 6.94W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 20 V 6.8A（Ta） 510mW（Ta），6.94W（Tc） TO-236AB
Nexperia（安世）
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Nexperia（安世）
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Nexperia（安世）
6.8A, N-MOS, 近似物料：PMV31XN
Nexperia（安世）
Nexperia Si P沟道 MOSFET PMV160UP,215, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
NXP（恩智浦）
NXP PMV16XN 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.8 A, 20 V, 0.016 ohm, 4.5 V, 650 mV
NXP（恩智浦）
NXP PMV160UP 晶体管, MOSFET, 沟, P沟道, -1.2 A, -20 V, 0.17 ohm, -4.5 V, -700 mV 新
NXP（恩智浦）
NXP PMV16UN 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.8 A, 20 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 700 mV
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