类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-883 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.39 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 2.5 W |
阈值电压 | 700 mV |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 1.78 A |
上升时间 | 7.5 ns |
输入电容值(Ciss) | 43pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.5 W |
下降时间 | 4.5 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.5W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 1.02 mm |
宽度 | 0.62 mm |
高度 | 0.47 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
N 通道 MOSFET,高达 30V,Nexperia
NXP(恩智浦)
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NXP(恩智浦)
72 页 / 3.63 MByte
NXP(恩智浦)
NXP PMZ390UN,315 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 30 V, 0.39 ohm, 4.5 V, 700 mV
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 30 V, 0.39 ohm, 4.5 V, 700 mV
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 900 mA, 30 V, 0.39 ohm, 4.5 V, 700 mV
NXP(恩智浦)
N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FET
NXP(恩智浦)
NXP PMZ390UNE 晶体管, MOSFET, N沟道, 900 mA, 30 V, 0.39 ohm, 4.5 V, 700 mV
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