类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
封装 | SOT-883 |
极性 | P-CH |
功耗 | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
连续漏极电流(Ids) | 0.5A |
输入电容值(Ciss) | 43pF @10V(Vds) |
额定功率(Max) | 360 mW |
耗散功率(Max) | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
NXP(恩智浦)
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Nexperia(安世)
P沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=500mA P=360mW
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, P沟道, -500 mA, -20 V, 1.02 ohm, -4.5 V, -700 mV
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