| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-883 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.29 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 360 mW |
| 阈值电压 | 700 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1A |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
NXP（恩智浦）
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Nexperia（安世）
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.2 A, 20 V, 0.27 ohm, 4.5 V, 700 mV
Nexperia（安世）
Nexperia Si N沟道 MOSFET PMZB290UNE,315, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-883B封装
Nexperia（安世）
N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=1A P=950mV
NXP（恩智浦）
NXP PMZB290UNE 晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 750 mV
NXP（恩智浦）
NXP PMZB290UNE2 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.2 A, 20 V, 0.27 ohm, 4.5 V, 700 mV
NXP（恩智浦）
NXP PMZB290UN 晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 700 mV
Nexperia（安世）
N 通道 MOSFET，高达 30V，Nexperia### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors
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