类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-883 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.29 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 715 mW |
阈值电压 | 750 mV |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
连续漏极电流(Ids) | 1A |
输入电容值(Ciss) | 55pF @10V(Vds) |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.7 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
长度 | 1.05 mm |
宽度 | 0.65 mm |
高度 | 0.36 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
NXP(恩智浦)
15 页 / 0.96 MByte
NXP(恩智浦)
15 页 / 0.93 MByte
Nexperia(安世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.2 A, 20 V, 0.27 ohm, 4.5 V, 700 mV
Nexperia(安世)
Nexperia Si N沟道 MOSFET PMZB290UNE,315, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-883B封装
Nexperia(安世)
N沟道 VDS=20V VGS=±8V ID=1A P=950mV
NXP(恩智浦)
NXP PMZB290UNE 晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 750 mV
NXP(恩智浦)
NXP PMZB290UNE2 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.2 A, 20 V, 0.27 ohm, 4.5 V, 700 mV
NXP(恩智浦)
NXP PMZB290UN 晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 700 mV
Nexperia(安世)
N 通道 MOSFET,高达 30V,Nexperia### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
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