类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | DFN1006B-3 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 850 mΩ |
功耗 | 715 mW |
输入电容 | 58 pF |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
漏源击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 30 ns |
输入电容值(Ciss) | 87pF @10V(Vds) |
额定功率(Max) | 360 mW |
下降时间 | 72 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 1.05 mm |
宽度 | 0.65 mm |
高度 | 0.36 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Nexperia(安世)
16 页 / 1.51 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia(安世)
Nexperia Si P沟道 MOSFET PMZB670UPE,315, 680 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-883B封装
NXP(恩智浦)
P 通道 MOSFET,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
Nexperia(安世)
P 通道 MOSFET,Nexperia### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件