类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
频率 | 250 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -45.0 V |
额定电流 | -500 mA |
封装 | TO-226-3 |
极性 | PNP |
功耗 | 0.625 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 45 V |
集电极最大允许电流 | 0.5A |
最小电流放大倍数 | 100 @150mA, 1V |
最大电流放大倍数 | 600 |
额定功率(Max) | 625 mW |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 625 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Tape |
高度 | 5.33 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
PNP通用放大器 PNP General Purpose Amplifier
National Semiconductor(美国国家半导体)
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP 晶体管,40 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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