类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
频率 | 300 MHz |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 40.0 V |
额定电流 | 600 mA |
封装 | TO-226-3 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 625 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
集电极最大允许电流 | 0.6A |
最小电流放大倍数 | 100 @150mA, 10V |
额定功率(Max) | 625 mW |
直流电流增益(hFE) | 300 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 625 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 5.2 mm |
宽度 | 4.19 mm |
高度 | 5.33 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通用 NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor
●### 标准
●带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN小信号的通用放大器 NPN Small Signal General Purpose Amplifiers
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
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