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PSMN4R0-60YS,115
来自 AiPCBA

PSMN4R0-60YS,115 数据手册 - Nexperia（安世）

制造商:Nexperia（安世）
分类:MOS管
封装:SOT-669-4
描述:N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=74A P=130W
PDF文件:PSMN4R0-60YS,115 数据手册 (15 页)
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PSMN4R0-60YS,115 数据手册 (15 页)
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PSMN4R0-60YS,115 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数5 Pin
封装SOT-669-4
通道数1 Channel
漏源极电阻8.3 mΩ
功耗130 W
阈值电压2 V
输入电容3501 pF
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压60 V
上升时间24 ns
输入电容值(Ciss)3501pF @30V(Vds)
额定功率(Max)130 W
下降时间14 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)130W (Tc)
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PSMN4R0-60YS,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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PSMN4R0-60YS,115 数据手册

PSMN4R0-60YS,115 数据手册
Nexperia（安世）
15 页 / 0.37 MByte
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206 页 / 0.21 MByte

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