| 类型 | 描述 |
|---|
| 频率 | 960 MHz |
| 额定电流 | 1 μA |
| 封装 | H32259-2 |
| 输出功率 | 10 W |
| 增益 | 18.5 dB |
| 测试电流 | 150 mA |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
LDMOS射频功率场效应晶体管10W ， 860-960MHZ LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W, 860-960MHZ
Infineon（英飞凌）
热增强型高功率射频LDMOS FET 10 W， 860 - 960兆赫 Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 10 W, 860 - 960 MHz
Infineon（英飞凌）
高功率射频LDMOS场效应晶体管10 W， 450 - 960兆赫 High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 450 – 960 MHz
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