类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
频率 | 1.99 GHz |
引脚数 | 10 Pin |
额定电压(DC) | 65.0 V |
额定电流 | 1 µA |
封装 | PG-RFP-10 |
漏源极电压(Vds) | 65.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 1.00 µA |
输出功率 | 10 W |
增益 | 16.5 dB |
测试电流 | 180 mA |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -40 ℃ |
耗散功率(Max) | 18800 mW |
额定电压 | 65 V |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Discontinued at Digi-Key |
包装方式 | Tape |
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
LDMOS射频功率场效应晶体管10 W, 1805-1880 , 1930-1990兆赫10瓦,二一一零年至2170年兆赫 LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz
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