类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 6 Pin |
封装 | SOT-363 |
针脚数 | 6 Position |
极性 | PNP |
功耗 | 200 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
集电极最大允许电流 | 100mA |
最小电流放大倍数 | 30 |
直流电流增益(hFE) | 30 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
长度 | 2.2 mm |
宽度 | 1.35 mm |
高度 | 1 mm |
工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | -50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -100MA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 10KΩ 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 10KΩ 基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2) Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2) | 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 180MHZ 耗散功率Pc Power Dissipation | 200MW/0.2W 描述与应用 Description & Applications | PNP / PNP型Resistor-Equipped晶体管(RET)表面贴装设备(SMD)塑料包。
● 100 mA输出电流能力
●减少组件数量
●内置的偏置电阻
●减少选择和成本
●简化了电路设计
●低电流周围的司机
●控制集成电路的输入
●取代通用晶体管在数字应用程序 技术文档PDF下载 | 在线阅读
NXP(恩智浦)
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