| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 封装 | SOT-363 |
| 针脚数 | 6 Position |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 200 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 50 V |
| 集电极最大允许电流 | 100mA |
| 最小电流放大倍数 | 80 |
| 直流电流增益(hFE) | 80 |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 长度 | 2.2 mm |
| 宽度 | 1.35 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 47KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio| 1 Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)| 47KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)| 47KΩ/Ohm Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 80 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 230MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| Features • NPN/NPN resistor-equipped transistors; • 100 mA output current capability • Reduces component count • Built-in bias resistors • Reduces pick and place costs • Simplifies circuit design • AEC-Q101 qualified APPLICATIONS • Low current peripheral drivers • Replacement of general purpose transistors in digital applications • Control of IC inputs 描述与应用| 特点 •NPN/ NPN电阻配备晶体管; •100 mA的输出电流能力 •减少了元件数量 •内置偏置电阻 •减少取放成本 •简化电路设计 •通过AEC-Q101标准 应用 •低电流外设驱动程序 •通用晶体管数字应用的更换 •控制IC投入
NXP（恩智浦）
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