类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
频率 | 200 MHz |
引脚数 | 4 Pin |
封装 | TO-261-4 |
针脚数 | 3 Position |
极性 | PNP |
功耗 | 1 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 60 V |
集电极最大允许电流 | 0.6A |
最小电流放大倍数 | 100 |
最大电流放大倍数 | 300 |
额定功率(Max) | 1 W |
直流电流增益(hFE) | 100 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1 W |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 6.7 mm |
宽度 | 3.7 mm |
高度 | 1.7 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最小包装数量 | 1000 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −60V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −600mA/- 0.6A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -400mV/-0.4V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1.5W Description & Applications| PNP Silicon Epitaxial transistor i This PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the SOT-223 package which is designed for medium power surface mount applications. • Complement to PZT2222AT1 • The SOT-223 package can be soldered using wave or reflow 描述与应用| PNP硅外延晶体管 这PNP硅外延晶体管线性和开关应用中使用而设计的。该设备是设在SOT-223封装,是专为中等功率表面贴装应用。 •互补型PZT2222AT1 •SOT-223封装,可以焊接使用波或回流
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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Siemens Semiconductor(西门子)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR PZT2907AT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, 60 V, 200 MHz, 1.5 W, -600 mA, 200 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR PZT2907AT3G 单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 1.5 W, -600 mA, 50 hFE
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR PZT2907A 单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 1 W, -800 mA, 100 hFE
ON Semiconductor(安森美)
PNP硅晶体管表面贴装 PNP SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT
ON Semiconductor(安森美)
PZT2907A PNP三极管 -60V -600mA/- 0.6A 200MHz 100~300 -400mV/-0.4V SOT-223/TO-261AA marking/标记 2907A 开关和放大
NXP(恩智浦)
NXP PZT2907A,115 单晶体管 双极, 开关, PNP, -60 V, 250 MHz, 1.15 W, -600 mA, 100 hFE
Nexperia(安世)
Nexperia PZT2907A,115 , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:50, 200 MHz, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装
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