类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
频率 | 250 MHz |
引脚数 | 4 Pin |
额定电压(DC) | -40.0 V |
额定电流 | -200 mA |
封装 | TO-261-4 |
针脚数 | 4 Position |
极性 | PNP, P-Channel |
功耗 | 1 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
最小电流放大倍数 | 100 @10mA, 1V |
最大电流放大倍数 | 300 |
额定功率(Max) | 1 W |
直流电流增益(hFE) | 300 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 6.7 mm |
宽度 | 3.7 mm |
高度 | 1.7 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −200mA/-0.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 250MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -400mV/-0.4V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1.5W Description & Applications| PNP Silicon Switching Transistor High DC current gain 0.1 mA to 100 mA Low collector-emitter saturation voltage Complementary type: PZT 3904 (NPN) 描述与应用| PNP硅开关晶体管 高直流电流增益0.1 mA至100 mA的 低集电极 - 发射极饱和电压 互补式:PZT3904(NPN)
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