PZTA42 数据手册 - Siemens Semiconductor（西门子）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 300V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 300V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 70MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 1.5W Description & Applications| NPN Silicon High-Voltage Transistors • High breakdown voltage • Low collector-emitter saturation voltage • Complementary type: PZTA92 (PNP) • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 描述与应用| NPN硅高压晶体管  •高击穿电压  •低集电极 - 发射极饱和电压  •互补类型：PZTA92（PNP）  •无铅（符合RoHS）包1）  •符合AEC Q101