| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | 300 V |
| 额定电流 | 500 mA |
| 封装 | TO-261-4 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 300 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.05A |
| 最小电流放大倍数 | 40 @30mA, 10V |
| 额定功率(Max) | 1.5 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 300V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 300V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 50MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 1.5W Description & Applications| high-voltage transistor surface mount NPN Silicon 描述与应用| 高电压晶体管表面贴装 NPN硅
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR PZTA42 单晶体管 双极, 通用, NPN, 300 V, 50 MHz, 1 W, 200 mA, 40 hFE
ON Semiconductor（安森美）
PZTA42系列 300 V CE击穿 0.5 A NPN 通用 放大器 - SOT-223
NXP（恩智浦）
NXP PZTA42 单晶体管 双极, NPN, 300 V, 1.2 W, 100 mA, 40 hFE
Infineon（英飞凌）
NPN硅高压晶体管低集电极 - 发射极饱和电压 NPN Silicon High-Voltage Transistors Low collector-emitter saturation voltage
Siemens Semiconductor（西门子）
PZTA42 NPN三极管 300V 500mA/0.5A 50MHz 40 500mV/0.5V SOT-223/SC-73 marking/标记 ZTA42 高压放大器
KEC(Korea Electronics)（KEC株式会社）
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