PZTA44 数据手册 - NXP（恩智浦）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 500V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 400V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 300mA/0.3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 20MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 750mV/0.75V 耗散功率PcPower Dissipation| 1.35W Description & Applications| NPN high-voltage transistor FEATURES • Low current (max. 300 mA) • High voltage (max. 400 V). APPLICATIONS • Telecommunication. DESCRIPTION NPN high-voltage transistor in a SOT223 plastic package 描述与应用| NPN高电压晶体管 特性 •低电流(max。300毫安) •高电压(max。400 V)。 应用 •通信。 描述 在一个SOT223 NPN型高压晶体管塑料包