| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-223 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -300V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −300V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1.5W Description & Applications| PNP Silicon High Voltage Transistor High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage Complementary type: PZTA 42 (NPN) 描述与应用| PNP硅高压晶体管 高击穿电压 低集电极 - 发射极饱和电压 互补式：PZTA42（NPN）
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