类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
封装 | SMD-8 |
针脚数 | 8 Position |
漏源极电阻 | 0.025 Ω |
极性 | N-Channel, P-Channel |
功耗 | 1.5 W |
阈值电压 | 2.5 V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
输入电容值(Ciss) | 365pF @10V(Vds) |
额定功率(Max) | 1.25 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.5 A, 30 V, 0.025 ohm, 10 V, 2.5 V
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