| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 5 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 2.00 A |
| 封装 | TSOT-23-5 |
| 针脚数 | 5 Position |
| 漏源极电阻 | 0.154 Ω |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 1.25 W |
| 阈值电压 | 1.5 V |
| 输入电容 | 175 pF |
| 栅电荷 | 3.90 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.00 A |
| 上升时间 | 10 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 175pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.25 W |
| 下降时间 | 8 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1250 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.6 mm |
| 高度 | 0.95 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
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QS5K2 复合场效应管 30V 2A SOT-153/SOT23-5/TSMT5 marking/标记 K02 开关应用
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ROHM QS5K2TR 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2 A, 30 V, 154 mohm, 4.5 V, 1.5 V
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2.5V驱动N沟道+ N沟道MOSFET 2.5V Drive Nch+Nch MOSFET
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