| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | 30.0 V |
| 额定电流 | 1.00 A |
| 封装 | TSOT-23-6 |
| 通道数 | 2 Channel |
| 针脚数 | 6 Position |
| 漏源极电阻 | 0.364 Ω |
| 极性 | Dual N-Channel |
| 功耗 | 900 mW |
| 阈值电压 | 1.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.00 A |
| 上升时间 | 7 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 77pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1.25 W |
| 下降时间 | 6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1250 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.6 mm |
| 高度 | 0.95 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
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ROHM QS6K1FRATR 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1 A, 30 V, 0.17 ohm, 4.5 V, 1.5 V 新
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