| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-163 |
| 漏源极电阻 | 0.26 Ω |
| 极性 | N+P |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.5A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 30V/-20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 12V/12V 最大漏极电流IdDrain Current| 1.5A/-1.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 360mΩ@ VGS =2.5V, ID =1A/430mΩ@ VGS =-2.5V, ID =-0.75A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 0.5~1.5V/-0.7~-2V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.25W Description & Applications| Small switching Features The QS6M4 combines Pch Trench MOSFET with a Nch Trench MOSFET in a single TSMT6 package. Pch Trench MOSFET and Nch Trench MOSFET have a low on-state resistance with a fast switching. Applications Load switch, inverter 描述与应用| 小开关 特点 的QS6M4结合TSMT6包在一个单一的一个N沟道沟道MOSFET的P沟道沟道MOSFET。 P沟道沟道MOSFET和N沟道沟道MOSFET具有低导通电阻与快速切换。 应用 负荷开关，逆变器
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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