| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SMD-8 |
| 通道数 | 2 Channel |
| 极性 | P-CH |
| 功耗 | 1.5 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | ±30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4A |
| 上升时间 | 20 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 800pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 550 mW |
| 下降时间 | 50 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 30V 4A 550mW 表面贴装型 TSMT8
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4 A, -30 V, 0.04 ohm, -10 V, -2.5 V
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