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R5007ANX
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R5007ANX 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
PDF文件:R5007ANX 数据手册 (6 页)
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R5007ANX 数据手册 (6 页)
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R5007ANX 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-220-3
通道数1 Channel
漏源极电阻800 mΩ
极性N-CH
功耗40 W
阈值电压2.5 V
漏源极电压(Vds)500 V
漏源击穿电压500 V
连续漏极电流(Ids)7A
上升时间22 ns
输入电容值(Ciss)500pF @25V(Vds)
额定功率(Max)40 W
下降时间25 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)40W (Tc)
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R5007ANX 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Bulk
工作温度150℃ (TJ)
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R5007ANX 数据手册

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