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R5009FNX
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R5009FNX 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
PDF文件:R5009FNX 数据手册 (6 页)
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R5009FNX 数据手册 (6 页)
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R5009FNX 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-220-3
通道数1 Channel
漏源极电阻0.65 Ω
极性N
功耗50W (Tc)
漏源极电压(Vds)500 V
连续漏极电流(Ids)9A
上升时间20 ns
输入电容值(Ciss)630pF @25V(Vds)
下降时间40 ns
耗散功率(Max)50W (Tc)
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R5009FNX 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not For New Designs
包装方式Bulk
工作温度150℃ (TJ)
最小包装数量1000
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R5009FNX 数据手册

R5009FNX 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
6 页 / 0.64 MByte
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