| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 1.2 Ω |
| 功耗 | 40 W |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 上升时间 | 18 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 520pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 40 W |
| 下降时间 | 35 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 40W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Bulk |
| 长度 | 10.3 mm |
| 宽度 | 4.8 mm |
| 高度 | 15.4 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM
●### MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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HARWIN R6006-00 间隔柱, 自锁, 6.3MM, 25只
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晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 600 V, 0.72 ohm, 10 V, 5.5 V
Eaton Bussmann（伊顿巴斯曼）
保险丝座 3P 600V 60A Class R Fuseblock
Eaton Bussmann（伊顿巴斯曼）
保险丝座 1P 600V 60A Class R Fuseblock
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