| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Plug In |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 额定电流 | 10 A |
| 额定功率 | 345 VA |
| 触点类型 | DPDT |
| 触点额定电流 | 10.0 A |
| 线圈电压 | 120 V |
| 线圈电流 | 17 mA |
| 线圈电压(AC) | 120 V |
| 载流 | 10.0 A |
| 额定电流(Max) | 10 A |
| 线圈电压(DC) | 120 V |
| 额定功率(Max) | 345 VA |
| 开关电流(Max) | 10 A |
| 工作温度(Max) | 55 ℃ |
| 工作温度(Min) | -20 ℃ |
| 额定电压(DC Max) | 28 V |
| 额定电压(AC Max) | 240 V |
| 输入电压 | 120 V |
NTE Electronics
1 页 / 0.14 MByte
NTE Electronics
1 页 / 0.6 MByte
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM R6011ENX 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 4 V 新
NTE Electronics
NTE ELECTRONICS R60-11AD10-24 延时继电器, DPDT
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM R6011ENJTL 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 4 V 新
NTE Electronics
NTE ELECTRONICS R60-11AD10-120 延时继电器, DPDT
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM R6011KNX 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 5 V 新
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 4 V
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM R6011KNJTL 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 5 V 新
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 5 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
