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R6011KND3TL1
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R6011KND3TL1 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
封装:TO-252
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 5 V
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
R6011KND3TL1 数据手册
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R6011KND3TL1 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装TO-252
针脚数3 Position
漏源极电阻0.34 Ω
功耗124 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)600 V
上升时间25 ns
输入电容值(Ciss)740pF @25V(Vds)
下降时间20 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)124000 mW

R6011KND3TL1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)

R6011KND3TL1 数据手册

R6011KND3TL1 其他数据使用手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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R6011KND3 数据手册

R6011KND3TL1 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 5 V
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