类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.34 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 53 W |
阈值电压 | 5 V |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
连续漏极电流(Ids) | 11A |
上升时间 | 25 ns |
输入电容值(Ciss) | 740pF @25V(Vds) |
下降时间 | 20 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 53W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Bulk |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最小包装数量 | 1000 |
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
13 页 / 2.38 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
14 页 / 2.39 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM R6011ENX 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 4 V 新
NTE Electronics
NTE ELECTRONICS R60-11AD10-24 延时继电器, DPDT
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM R6011ENJTL 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 4 V 新
NTE Electronics
NTE ELECTRONICS R60-11AD10-120 延时继电器, DPDT
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM R6011KNX 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 5 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 4 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM R6011KNJTL 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 5 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 5 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件