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R6020ENZ1C9

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R6020ENZ1C9 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:	ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:	中高压MOS管
封装:	TO-247-3
描述:	ROHM R6020ENZ1C9 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V 新
PDF文件:	R6020ENZ1C9 数据手册 (13 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

R6020ENZ1C9 数据手册 (13 页)

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R6020ENZ1C9 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	3 Pin
封装	TO-247-3
通道数	1 Channel
针脚数	3 Position
漏源极电阻	0.17 Ω
极性	N-Channel
功耗	120 W
阈值电压	4 V
漏源极电压(Vds)	600 V
漏源击穿电压	600 V
连续漏极电流(Ids)	20A
上升时间	53 ns
输入电容值(Ciss)	1400pF @25V(Vds)
下降时间	67 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	55 ℃
耗散功率(Max)	120W (Tc)

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R6020ENZ1C9 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Not Recommended
包装方式	Bulk
工作温度	150℃ (TJ)

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R6020ENZ1C9 符合标准

R6020ENZ1C9 概述

R6020ENZ1C9 数据手册

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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ROHM R6020ENZ1C9 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V 新

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