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R6030KNZ1C9
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R6030KNZ1C9 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:中高压MOS管
封装:TO-247-3
描述:ROHM  R6030KNZ1C9  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.115 ohm, 10 V, 5 V 新
PDF文件:R6030KNZ1C9 数据手册 (13 页)
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R6030KNZ1C9 数据手册 (13 页)
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R6030KNZ1C9 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.115 Ω
极性N-Channel
功耗305 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)30A
上升时间75 ns
输入电容值(Ciss)2350pF @25V(Vds)
下降时间45 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)305W (Tc)
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R6030KNZ1C9 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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R6030KNZ1C9 数据手册

R6030KNZ1C9 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
13 页 / 2.03 MByte
R6030KNZ1C9 其他数据使用手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
14 页 / 2.03 MByte

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R6030KNZ1C9 数据手册
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ROHM  R6030KNZ1C9  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.115 ohm, 10 V, 5 V 新
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