类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-3-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.115 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 86 W |
阈值电压 | 5 V |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
漏源击穿电压 | 600 V |
连续漏极电流(Ids) | 30A |
上升时间 | 65 ns |
输入电容值(Ciss) | 2350pF @25V(Vds) |
下降时间 | 50 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
耗散功率(Max) | 86W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM R6030ENZ1C9 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.115 ohm, 10 V, 4 V 新
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ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM R6030KNX 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.115 ohm, 10 V, 5 V 新
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ROHM R6030ENZC8 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.115 ohm, 10 V, 4 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 5 V
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ROHM R6030KNZC8 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.115 ohm, 10 V, 5 V 新
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