类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-3 |
通道数 | 1 Channel |
漏源极电阻 | 65 mΩ |
功耗 | 130 W |
阈值电压 | 2.5 V |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
漏源击穿电压 | 600 V |
上升时间 | 130 ns |
输入电容值(Ciss) | 6000pF @25V(Vds) |
下降时间 | 100 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | 55 ℃ |
耗散功率(Max) | 120W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Bulk |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 600 V, 0.075 ohm, 10 V, 5 V
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10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
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