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R6046FNZ
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R6046FNZ 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TO-3
描述:10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
PDF文件:R6046FNZ 数据手册 (7 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

R6046FNZ 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
封装TO-3
漏源极电阻0.075 Ω
极性N
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)46A
上升时间150 ns
下降时间80 ns
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R6046FNZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended
工作温度-55℃ ~ 150℃
最小包装数量360
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R6046FNZ 数据手册

R6046FNZ 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
7 页 / 0.78 MByte

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