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R6046FNZC8
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R6046FNZC8 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 600 V, 0.075 ohm, 10 V, 5 V
PDF文件:R6046FNZC8 数据手册 (16 页)典型应用电路图在15 页
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R6046FNZC8 数据手册 (16 页)
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R6046FNZC8 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.075 Ω
极性N-Channel
功耗130 W
阈值电压5 V
漏源极电压(Vds)600 V
上升时间150 ns
输入电容值(Ciss)6100pF @25V(Vds)
额定功率(Max)120 W
下降时间80 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)120W (Tc)
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R6046FNZC8 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
工作温度150℃ (TJ)
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R6046FNZC8 数据手册

R6046FNZC8 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
16 页 / 3.86 MByte
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