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RAQ045P01TCR
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RAQ045P01TCR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TSOT-23-6
描述:P沟道 12V 4.5A
PDF文件:RAQ045P01TCR 数据手册 (15 页)典型应用电路图在13 页
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焊盘图
引脚图
产品图
RAQ045P01TCR 数据手册 (15 页)
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RAQ045P01TCR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数6 Pin
封装TSOT-23-6
通道数1 Channel
漏源极电阻100 mΩ
功耗1.25 W
阈值电压300 mV
漏源极电压(Vds)12 V
漏源击穿电压12 V
上升时间60 ns
输入电容值(Ciss)4200pF @6V(Vds)
额定功率(Max)600 mW
下降时间150 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)600mW (Ta)
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RAQ045P01TCR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Discontinued at Digi-Key
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
长度3 mm
宽度1.8 mm
高度0.95 mm
工作温度150℃ (TJ)
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RAQ045P01TCR 数据手册

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
P沟道 12V 4.5A
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