类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 2 Pin |
额定电压(DC) | 30.0 V |
额定电流 | 200 mA |
封装 | SOD-523 |
输出电流 | ≤200 mA |
负载电流 | 0.2 A |
针脚数 | 2 Position |
正向电压 | 500mV @200mA |
极性 | Standard |
功耗 | 200 mW |
热阻 | 635℃/W (RθJA) |
反向恢复时间 | 6 ns |
正向电流 | 200 mA |
最大正向浪涌电流 | 1 A |
正向电压(Max) | 500 mV |
正向电流(Max) | 200 mA |
工作温度(Max) | 125 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 200 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 1.3 mm |
宽度 | 0.9 mm |
高度 | 0.7 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 125℃ |
反向电压VrReverse Voltage| 30V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 200mA/0.2A 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 500mV/0.5V 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| • Extremely Fast Switching Speed • Extremely Low Forward Voltage 0.5 V (max) @ IF = 200 mA • Low Reverse Current • Pb−Free Package 描述与应用| •极快的开关速度 •极低的正向电压0.5 V(最大值)@ IF= 200毫安 •低反向电流 •无铅封装
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.14 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.26 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
肖特基二极管 Schottky Barrier Diode
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR RB521S30T1G 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 500 mV, 1 A, 125 °C
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件