类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
漏源极电阻 | 0.46 Ω |
极性 | N |
功耗 | 2.23W (Ta), 35W (Tc) |
漏源极电压(Vds) | 250 V |
连续漏极电流(Ids) | 8A |
上升时间 | 28 ns |
输入电容值(Ciss) | 840pF @25V(Vds) |
下降时间 | 14 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.23W (Ta), 35W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Bulk |
材质 | Silicon |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
最小包装数量 | 1000 |
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
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