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RD3H160SPTL1 数据手册 - ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
制造商:
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
封装:
TO-252-3
描述:
晶体管, MOSFET, P沟道, -16 A, -45 V, 0.035 ohm, -10 V, -3 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
RD3H160SPTL1 数据手册
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RD3H160SPTL1 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.035 Ω
功耗
20 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
45 V
上升时间
22 ns
输入电容值(Ciss)
2000 pF
下降时间
50 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
20W (Tc)
RD3H160SPTL1 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
150℃ (TJ)
RD3H160SPTL1 符合标准
RD3H160SPTL1 数据手册
RD3H160SPTL1
其他数据使用手册
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
16 页 / 2.51 MByte
RD3H160 数据手册
RD3H160
SPTL1
数据手册
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, P沟道, -16 A, -45 V, 0.035 ohm, -10 V, -3 V
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