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RDN100N20
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RDN100N20 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:开关（ 200V ， 10A ） Switching (200V, 10A)
PDF文件:RDN100N20 数据手册 (4 页)
Pictures:
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焊盘图
引脚图
产品图
RDN100N20 数据手册 (4 页)
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RDN100N20 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)200 V
额定电流10.0 A
封装TO-220-3
通道数1 Channel
漏源极电阻360 mΩ
功耗35 W
漏源极电压(Vds)200 V
漏源击穿电压200 V
连续漏极电流(Ids)15.0 A
上升时间29 ns
输入电容值(Ciss)543pF @10V(Vds)
额定功率(Max)35 W
下降时间26 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)35W (Tc)
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RDN100N20 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Bulk
长度10 mm
宽度4.5 mm
高度8 mm
工作温度150℃ (TJ)
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RDN100N20 数据手册

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