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RDN100N20FU6

来自 AiPCBA

RDN100N20FU6 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:	ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-220-3
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

RDN100N20FU6 数据手册 (5 页)

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RDN100N20FU6 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
封装	TO-220-3
功耗	35W (Tc)
漏源极电压(Vds)	200 V
输入电容值(Ciss)	543pF @10V(Vds)
额定功率(Max)	35 W
耗散功率(Max)	35W (Tc)

RDN100N20FU6 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Not For New Designs
包装方式	Bulk
工作温度	150℃ (TJ)

RDN100N20FU6 符合标准

RDN100N20FU6 数据手册

RDN100N20FU6 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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