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RDR005N25TL
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RDR005N25TL 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:TSMT-3
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PDF文件:RDR005N25TL 数据手册 (13 页)
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RDR005N25TL 数据手册 (13 页)
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RDR005N25TL 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TSMT-3
功耗540mW (Ta)
漏源极电压(Vds)250 V
输入电容值(Ciss)70pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1 W
工作温度(Max)150 ℃
耗散功率(Max)540mW (Ta)
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RDR005N25TL 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not For New Designs
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3 mm
宽度1.8 mm
高度0.95 mm
工作温度150℃ (TJ)
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RDR005N25TL 数据手册

RDR005N25TL 数据手册
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RDR005N25 数据手册

RDR005N25TL 数据手册
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