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REF3030TB-GT3
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REF3030TB-GT3 技术参数、封装参数

REF3030TB-GT3 外形尺寸、物理参数、其它

REF3030TB-GT3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.24 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.21 MByte

REF3030 数据手册

TI(德州仪器)
3V,50℃,50uASOT23-3封装电压基准
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  REF3030AIDBZT  电压基准, 精密, 低功率, 系列 - 固定, REF3030系列, 3V, SOT-23-3
TI(德州仪器)
采用 3 引脚 SOT-23 封装的 3V、50ppm/°C、50µA 输入串联(带隙)电压基准 3-SOT-23 -40 to 125
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  REF3030AIDBZTG4  电压基准, 精密, 低功率, 系列 - 固定, REF30xx系列, 3V, SOT-23-3
ON Semiconductor(安森美)
TI(德州仪器)
50PPM /℃ , 50uA的在SOT23-3 CMOS电压基准 50ppm/C Max, 50UA in SOT23-3 CMOS VOLTAGE REFERENCE
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