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REF5025IDRG4 技术参数、封装参数

REF5025IDRG4 外形尺寸、物理参数、其它

REF5025IDRG4 数据手册

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REF5025 数据手册

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3µVpp/V 噪声、3ppm/°C 漂移精密电压基准
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TEXAS INSTRUMENTS  REF5025AIDR  电压参考系列-固定, 2.5V参考, ± 3ppm/°C, SOIC-8 新
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2.5V 至 3.3V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
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低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
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2.5V 至 3.3V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
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TEXAS INSTRUMENTS  REF5025ID  电压基准, 精密, 低噪, 系列 - 固定, REF5025系列, 2.5V, SOIC-8
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低噪声,极低漂移,高精度OLTAGE参考 Low-Noise, Very Low Drift, Precision OLTAGE REFERENCE
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低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
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低噪声,极低漂移,高精度电压基准 LOW NOISE, VERY LOW DRIFT,PRECISION VOLTAGE REFERENCE
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