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REF5050AIDR 数据手册 (152 页)
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REF5050AIDR 技术参数、封装参数

REF5050AIDR 外形尺寸、物理参数、其它

REF5050AIDR 数据手册

TI(德州仪器)
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REF5050 数据手册

TI(德州仪器)
3µVpp/V 噪声、3ppm/°C 漂移精密电压基准
TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
TI(德州仪器)
串联电压参考,固定,4V 至 10V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
TI(德州仪器)
4V 至 10V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  REF5050AIDG4  电压参考, 高精准, 低噪, 系列 - 固定, REF5050系列, 5V, SOIC-8
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  REF5050IDGKT  电压参考, 高精准, 低噪, 系列 - 固定, REF5050系列, 5V, VSSOP-8
TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
TI(德州仪器)
4V 至 10V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
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