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RF4E080BNTR
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RF4E080BNTR 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:PowerUDFN-8
PDF文件:RF4E080BNTR 数据手册 (13 页)典型应用电路图在12 页
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焊盘图
引脚图
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RF4E080BNTR 数据手册 (13 页)
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RF4E080BNTR 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PowerUDFN-8
功耗2 W
漏源极电压(Vds)30 V
上升时间100 ns
输入电容值(Ciss)660pF @15V(Vds)
额定功率(Max)2 W
下降时间7 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2W (Ta)
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RF4E080BNTR 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度150℃ (TJ)
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RF4E080BNTR 数据手册

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