| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-251-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.1 Ω |
| 功耗 | 48 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 50 V |
| 上升时间 | 24 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 670pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 48 W |
| 下降时间 | 16 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 48 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6.8 mm |
| 宽度 | 2.5 mm |
| 高度 | 6.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor
●增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
●### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
10 页 / 1 MByte
ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD14N05 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD14N05SM9A 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
Fairchild（飞兆/仙童）
N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD14N05LSM9A 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 5 V, 2 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD14N05LSM9A, 14 A, Vds=50 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD14N05L, 14 A, Vds=50 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD14N05LSM, 14 A, Vds=50 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD14N05SM9A, 14 A, Vds=50 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD14N05L 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 5 V, 2 V
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