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RFD14N05LSM
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RFD14N05LSM 数据手册 (8 页)
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RFD14N05LSM 技术参数、封装参数

RFD14N05LSM 外形尺寸、物理参数、其它

RFD14N05LSM 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 1.53 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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RFD14N05 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD14N05  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD14N05SM9A  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD14N05LSM9A  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 5 V, 2 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD14N05LSM9A, 14 A, Vds=50 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD14N05L, 14 A, Vds=50 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD14N05LSM, 14 A, Vds=50 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD14N05SM9A, 14 A, Vds=50 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD14N05L  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 5 V, 2 V
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