类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 50.0 V |
额定电流 | 14.0 A |
封装 | TO-252-3 |
额定功率 | 14 W |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 100 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 48 W |
阈值电压 | 2 V |
输入电容 | 670 pF |
栅电荷 | 40.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 50 V |
漏源击穿电压 | 50.0 V |
栅源击穿电压 | ±10.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 14.0 A |
上升时间 | 24 ns |
输入电容值(Ciss) | 670pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 48 W |
下降时间 | 16 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 48 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 6.73 mm |
宽度 | 6.22 mm |
高度 | 2.39 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD14N05 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD14N05SM9A 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD14N05LSM9A 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 5 V, 2 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD14N05LSM9A, 14 A, Vds=50 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD14N05L, 14 A, Vds=50 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD14N05LSM, 14 A, Vds=50 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFD14N05SM9A, 14 A, Vds=50 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD14N05L 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 50 V, 100 mohm, 5 V, 2 V
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