| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 50.0 V |
| 额定电流 | 16.0 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 漏源极电阻 | 47.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 60W (Tc) |
| 栅电荷 | 80.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 50 V |
| 漏源击穿电压 | 50.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±10.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 16.0 A |
| 上升时间 | 30 ns |
| 额定功率(Max) | 60 W |
| 下降时间 | 14 ns |
| 耗散功率(Max) | 60W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Bulk |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
16A ， 50V ， 0.047欧姆，逻辑电平， N沟道功率MOSFET 16A, 50V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
Intersil（英特矽尔）
16A ， 50V ， 0.047 Ohm的N通道功率MOSFET 16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD16N05LSM9A 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 50 V, 47 mohm, 5 V, 2 V
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD16N05SM9A 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 50 V, 47 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFD16N05LSM9A, 16 A, Vds=50 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFD16N05SM9A, 16 A, Vds=50 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild（飞兆/仙童）
16A ， 50V ， 0.047 Ohm的N通道功率MOSFET 16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
Fairchild（飞兆/仙童）
16A ， 50V ， 0.047欧姆，逻辑电平， N沟道功率MOSFET 16A, 50V, 0.047 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
Intersil（英特矽尔）
16A ， 50V ， 0.047 Ohm的N通道功率MOSFET 16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
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